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NXH100B120H3Q0PTG分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料

NXH100B120H3Q0PTG
厂商型号

NXH100B120H3Q0PTG

参数属性

NXH100B120H3Q0PTG 封装/外壳为模块;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MODULE 1200V 50A 186W 22PIM

功能描述

Dual Boost Power Module
IGBT MODULE 1200V 50A 186W 22PIM

丝印标识

NXH100B120H3Q0PTG

封装外壳

Q0BOOST-Case180BF / 模块

文件大小

1.44776 Mbytes

页面数量

15

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-1 12:20:00

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NXH100B120H3Q0PTG规格书详情

NXH100B120H3Q0PTG属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由安森美半导体公司制造生产的NXH100B120H3Q0PTG晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    NXH100B120H3Q0PTG

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 包装:

    托盘

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 配置:

    2 个独立式

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.3V @ 15V,50A

  • 输入:

    标准

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    模块

  • 供应商器件封装:

    22-PIM(55x32.5)

  • 描述:

    IGBT MODULE 1200V 50A 186W 22PIM

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI
22
SOP12
21000
全新、原装
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ON(安森美)
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标准封装
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onsemi(安森美)
2021+
Q0BOOST ? Case 180BF
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onsemi(安森美)
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ON(安森美)
23+
标准封装
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