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NXH100B120H3Q0PTG	文件：1.5026 Mbytes Page：16 Pages	Marking：NXH100B120H3Q0PTG；Package：Q0BOOST；Dual Boost Power Module TheNXH100B120H3Q0isapowermodulecontainingadualboost stage.TheintegratedfieldstoptrenchIGBTsandSiCDiodesprovide lowerconductionlossesandswitchinglosses,enablingdesignersto achievehighefficiencyandsuperiorreliability. Features •1200VUltraFieldStopIGBTs •	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NXH100B120H3Q0PTG	文件：1.44776 Mbytes Page：15 Pages	Marking：NXH100B120H3Q0PTG；Package：Q0BOOST-Case180BF；Dual Boost Power Module	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NXH100B120H3Q0PTG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：模块；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MODULE 1200V 50A 186W 22PIM	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NXH100B120H3Q0SG	文件：1.5026 Mbytes Page：16 Pages	DualBoostPowerModule TheNXH100B120H3Q0isapowermodulecontainingadualboost stage.TheintegratedfieldstoptrenchIGBTsandSiCDiodesprovide lowerconductionlossesandswitchinglosses,enablingdesignersto achievehighefficiencyandsuperiorreliability. Features •1200VUltraFieldStopIGBTs •	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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产品属性

产品编号：
NXH100B120H3Q0PTG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
包装：
托盘
IGBT 类型：
沟槽型场截止
配置：
2 个独立式
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.3V @ 15V，50A
输入：
标准
NTC 热敏电阻：
无
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
模块
供应商器件封装：
22-PIM（55x32.5）
描述：
IGBT MODULE 1200V 50A 186W 22PIM

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