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NXH100B120H3Q0PTG	文件：1.5026 Mbytes Page：16 Pages	丝印：NXH100B120H3Q0PTG；Package：Q0BOOST；Dual Boost Power Module The NXH100B120H3Q0 is a power module containing a dual boost stage. The integrated field stop trench IGBTs and SiC Diodes provide lower conduction losses and switching losses, enabling designers to achieve high efficiency and superior reliability. Features • 1200 V Ultra Field Stop IGBTs • 文件：1.5026 Mbytes 页数：16 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NXH100B120H3Q0PTG	文件：1.44776 Mbytes Page：15 Pages	丝印：NXH100B120H3Q0PTG；Package：Q0BOOST-Case180BF；Dual Boost Power Module 文件：1.44776 Mbytes 页数：15 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NXH100B120H3Q0PTG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：模块；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MODULE 1200V 50A 186W 22PIM	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NXH100B120H3Q0SG	文件：1.5026 Mbytes Page：16 Pages	Dual Boost Power Module The NXH100B120H3Q0 is a power module containing a dual boost stage. The integrated field stop trench IGBTs and SiC Diodes provide lower conduction losses and switching losses, enabling designers to achieve high efficiency and superior reliability. Features • 1200 V Ultra Field Stop IGBTs • 文件：1.5026 Mbytes 页数：16 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NXH100B120H3Q0SG	文件：1.44776 Mbytes Page：15 Pages	Dual Boost Power Module 文件：1.44776 Mbytes 页数：15 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NXH100B120H3Q0STG	文件：1.5026 Mbytes Page：16 Pages	Dual Boost Power Module The NXH100B120H3Q0 is a power module containing a dual boost stage. The integrated field stop trench IGBTs and SiC Diodes provide lower conduction losses and switching losses, enabling designers to achieve high efficiency and superior reliability. Features • 1200 V Ultra Field Stop IGBTs • 文件：1.5026 Mbytes 页数：16 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
NXH100B120H3Q0PTG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
包装：
托盘
IGBT 类型：
沟槽型场截止
配置：
2 个独立式
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.3V @ 15V，50A
输入：
标准
NTC 热敏电阻：
无
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
模块
供应商器件封装：
22-PIM（55x32.5）
描述：
IGBT MODULE 1200V 50A 186W 22PIM

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