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NXH040P120MNF1PTG中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

NXH040P120MNF1PTG
厂商型号

NXH040P120MNF1PTG

功能描述

Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 40 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package

丝印标识

NXH040P120MNF1PTG

封装外壳

F1-2PACK

文件大小

1.09379 Mbytes

页面数量

8

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-3 23:00:00

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NXH040P120MNF1PTG规格书详情

The NXH040P120MNF1 is a power module containing an

40 m/1200 V SiC MOSFET half bridge and a thermistor in an F1

package.

特性 Features

• 40 m/1200 V SiC MOSFET Half Bridge

• Thermistor

• Options with Pre−applied Thermal Interface Material (TIM) and

without Pre−applied TIM

• Press−fit Pins

Typical Applications

• Solar Inverter

• Uninterruptible Power Supplies

• Electric Vehicle Charging Stations

• Industrial Power

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