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NXH40B120MNQ1SNG | Marking：NXH40B120MNQ1SNG；Package：PIM32；Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 40 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V 40 A, 1200 V SiC Diode, Three Channel Full SiC Boost, Q1 Package TheNXH40B120MNQ1SNGisapowermodulecontainingathree channelbooststage.TheintegratedSiCMOSFETsandSiCDiodes providelowerconductionlossesandswitchinglosses,enabling designerstoachievehighefficiencyandsuperiorreliability. Features •1200V40mSiCMOSFETs •LowR | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | |
NXH40B120MNQ1SNG | Marking：NXH40B120MNQ1SNG；Package：PIM32；3 Channel Boost Q1 Power Module | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI |
产品属性
- 产品编号：
NXH40B120MNQ1SNG
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
- 包装：
托盘
- 配置：
三，双 - 共源
- 输入：
标准
- NTC 热敏电阻：
是
- 工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
模块
- 供应商器件封装：
32-PIM（71x37.4）
- 描述：
30KW Q1BOOST FULL SIC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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