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NXH40B120MNQ1SNG_V01	文件：923.13 Kbytes Page：12 Pages	Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 40 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V 40 A, 1200 V SiC Diode, Three Channel Full SiC Boost, Q1 Package TheNXH40B120MNQ1SNGisapowermodulecontainingathree channelbooststage.TheintegratedSiCMOSFETsandSiCDiodes providelowerconductionlossesandswitchinglosses,enabling designerstoachievehighefficiencyandsuperiorreliability. Features •1200V40mSiCMOSFETs •LowR	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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NXH40B120MNQ1SNG_V01

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Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 40 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V 40 A, 1200 V SiC Diode, Three Channel Full SiC Boost, Q1 Package

TheNXH40B120MNQ1SNGisapowermodulecontainingathree channelbooststage.TheintegratedSiCMOSFETsandSiCDiodes providelowerconductionlossesandswitchinglosses,enabling designerstoachievehighefficiencyandsuperiorreliability. Features •1200V40mSiCMOSFETs •LowR

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更多NXH40B120MNQ1SNG_V01供应商更新时间2024-5-28 8:40:00

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