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NXH50C120L2C2ES1G

TMPIM 50 A CIB/CI Module

The NXH50C120L2C2ESG is a transfer−molded power module with low thermal resistance substrate containing a converter-inverter-brake circuit consisting of six 50 A, 1600 V rectifiers, six 50 A, 1200 V IGBTs with inverse diodes, one 35 A, 1200 V brake IGBT with brake diode and an NTC thermistor.

文件:420.11 Kbytes 页数:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NXH50C120L2C2ES1G

TMPIM 50 A CIB/CI Module

文件:403.36 Kbytes 页数:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NXH50C120L2C2ES1G

Package:26-PowerDIP 模块(1,199",47,20mm);包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 描述:IGBT MOD 1200V 50A 26DIP

ONSEMI

安森美半导体

NXH80B120MNQ0SNG

MODULE

ON

NXJ1S0303MC-R7

隔离式DC/DC转换器

产品属性

  • 产品编号:

    NXH50C120L2C2ES1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 包装:

    散装

  • 配置:

    三相反相器,带制动器

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,50A

  • 输入:

    三相桥式整流器

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    26-PowerDIP 模块(1,199",47,20mm)

  • 供应商器件封装:

    26-DIP

  • 描述:

    IGBT MOD 1200V 50A 26DIP

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
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DIP26
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更多NXH50C120L2C2ES1G供应商 更新时间2025-12-13 16:13:00