首页 >NXH80B120MNQ0SNG>规格书列表

零件编号下载 订购功能描述/丝印制造商 上传企业LOGO

NXH80B120MNQ0SNG

Marking:NXH80B120MNQ0SNG;Package:Q0BOOST;Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 80 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V 20 A, 1200 V SiC Diode, Two Channel Full SiC Boost, Q0 Package

TheNXH80B120MNQ0SNGisapowermodulecontainingadual booststage.TheintegratedSiCMOSFETsandSiCDiodesprovide lowerconductionlossesandswitchinglosses,enablingdesignersto achievehighefficiencyandsuperiorreliability. Features •1200V80mSiCMOSFETs •LowReverseRe

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NXH80B120MNQ0SNG

Marking:NXH80B120MNQ0SNG;Package:Q0BOOST;Dual Boost Power Module

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NXH80B120MNQ0SNG

Package:模块;包装:托盘 类别:分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 描述:PIM POWER MODULE

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NXH80B120MNQ0SNG_V01

Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 80 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V 20 A, 1200 V SiC Diode, Two Channel Full SiC Boost, Q0 Package

TheNXH80B120MNQ0SNGisapowermodulecontainingadual booststage.TheintegratedSiCMOSFETsandSiCDiodesprovide lowerconductionlossesandswitchinglosses,enablingdesignersto achievehighefficiencyandsuperiorreliability. Features •1200V80mSiCMOSFETs •LowReverseRe

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

产品属性

  • 产品编号:

    NXH80B120MNQ0SNG

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 包装:

    托盘

  • 配置:

    双路升压斩波器

  • 输入:

    标准

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    模块

  • 供应商器件封装:

    22-PIM/Q0BOOST(55x32.5)

  • 描述:

    PIM POWER MODULE

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON
22+
MODULE
117
绝对真实库存 原装正品
询价
ONSEMI
22
SOP12
4500
全新、原装
询价
ON/安森美
22+
24000
原装正品现货,实单可谈,量大价优
询价
onsemi
23+
标准封装
2000
全新原装正品现货直销
询价
24+
N/A
70000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
询价
onsemi
25+
模块
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
询价
ONSEMI
2025+
55740
询价
ON/安森美
2023+
86950
一级代理商原装进口深圳现货
询价
ON
2022+
PIM-20 / Q0PACK
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价
onsemi(安森美)
2021+
-
499
询价
更多NXH80B120MNQ0SNG供应商 更新时间2025-7-24 18:10:00