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NXH80B120MNQ0SNG_V01	文件：679.76 Kbytes Page：13 Pages	Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 80 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V 20 A, 1200 V SiC Diode, Two Channel Full SiC Boost, Q0 Package TheNXH80B120MNQ0SNGisapowermodulecontainingadual booststage.TheintegratedSiCMOSFETsandSiCDiodesprovide lowerconductionlossesandswitchinglosses,enablingdesignersto achievehighefficiencyandsuperiorreliability. Features •1200V80mSiCMOSFETs •LowReverseRe	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 80 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V 20 A, 1200 V SiC Diode, Two Channel Full SiC Boost, Q0 Package

TheNXH80B120MNQ0SNGisapowermodulecontainingadual booststage.TheintegratedSiCMOSFETsandSiCDiodesprovide lowerconductionlossesandswitchinglosses,enablingdesignersto achievehighefficiencyandsuperiorreliability. Features •1200V80mSiCMOSFETs •LowReverseRe

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