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NXH80B120MNQ0SNG分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料

厂商型号 |
NXH80B120MNQ0SNG |
参数属性 | NXH80B120MNQ0SNG 封装/外壳为模块;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:PIM POWER MODULE |
功能描述 | Dual Boost Power Module |
丝印标识 | |
封装外壳 | Q0BOOST / 模块 |
文件大小 |
763.4 Kbytes |
页面数量 |
13 页 |
生产厂商 | ON Semiconductor |
企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-22 17:25:00 |
人工找货 | NXH80B120MNQ0SNG价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
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NXH80B120MNQ0SNG规格书详情
NXH80B120MNQ0SNG属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由安森美半导体公司制造生产的NXH80B120MNQ0SNG晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
产品属性
更多- 产品编号:
NXH80B120MNQ0SNG
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
- 包装:
托盘
- 配置:
双路升压斩波器
- 输入:
标准
- NTC 热敏电阻:
是
- 工作温度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
底座安装
- 封装/外壳:
模块
- 供应商器件封装:
22-PIM/Q0BOOST(55x32.5)
- 描述:
PIM POWER MODULE
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
24+ |
NA |
25000 |
ON全系列可订货 |
询价 | ||
ON |
1922 |
40 |
公司优势库存 热卖中! |
询价 | |||
ONSEMI |
22 |
SOP12 |
4500 |
全新、原装 |
询价 | ||
ON |
2022+ |
PIM-20 / Q0PACK |
38550 |
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询价 | ||
ON |
24+ |
NA |
3000 |
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onsemi |
24+ |
模块 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
询价 | ||
ONSEMI |
2025+ |
55740 |
询价 | ||||
ON |
22+ |
MODULE |
117 |
绝对真实库存 原装正品 |
询价 | ||
onsemi |
23+ |
标准封装 |
2000 |
全新原装正品现货直销 |
询价 | ||
24+ |
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