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NXH75M65L4Q1SG分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料

NXH75M65L4Q1SG
厂商型号

NXH75M65L4Q1SG

参数属性

NXH75M65L4Q1SG 封装/外壳为模块;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:Q1PACK 75A 650V

功能描述

Q1PACK Module
Q1PACK 75A 650V

封装外壳

模块

文件大小

570.14 Kbytes

页面数量

13

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 18:54:00

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NXH75M65L4Q1SG规格书详情

NXH75M65L4Q1SG属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由安森美半导体公司制造生产的NXH75M65L4Q1SG晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

This high−density, integrated power module combines

high−performance IGBTs with rugged anti−parallel diodes.

特性 Features

• Extremely Efficient Trench with Fieldstop Technology

• Low Switching Loss Reduces System Power Dissipation

• Module Design Offers High Power Density

• Low Inductive Layout

• Q1PACK Packages with Solder and Pressfit Pins

Typical Applications

• Solar Inverters

• Uninterruptable Power Supplies

产品属性

更多
  • 产品编号:

    NXH75M65L4Q1SG

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 包装:

    散装

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 配置:

    半桥

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    5.5µs,10µs

  • 输入:

    标准

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    模块

  • 供应商器件封装:

    56-PIM(93x47)

  • 描述:

    Q1PACK 75A 650V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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