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NXH80B120H2Q0SG分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料

NXH80B120H2Q0SG
厂商型号

NXH80B120H2Q0SG

参数属性

NXH80B120H2Q0SG 包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:PIM 1200V, 40A DUAL BOOST

功能描述

Q0 - Dual Boost Power Module
PIM 1200V, 40A DUAL BOOST

丝印标识

NXH80B120H2Q0SG

封装外壳

Q0BOOST

文件大小

246.34 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-4 23:00:00

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NXH80B120H2Q0SG规格书详情

NXH80B120H2Q0SG属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由安森美半导体公司制造生产的NXH80B120H2Q0SG晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    NXH80B120H2Q0SG

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 包装:

    托盘

  • 描述:

    PIM 1200V, 40A DUAL BOOST

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