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NXH80B120H2Q0分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NXH80B120H2Q0 |
| 参数属性 | NXH80B120H2Q0 封装/外壳为模块；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块；产品描述：PIM POWER MODULE |
| 功能描述 | Q0 - Dual Boost Power Module |
| 封装外壳 | 模块 |
| 文件大小 |
246.34 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | ON Semiconductor |
| 企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
| 中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
| 原厂标识 | ONSEMI |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-2 8:14:00 |
| 人工找货 | NXH80B120H2Q0价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
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NXH80B120H2Q0规格书详情
NXH80B120H2Q0属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由安森美半导体公司制造生产的NXH80B120H2Q0晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
产品属性
更多- 产品编号：
NXH80B120H2Q0SNG
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
- 包装：
托盘
- 配置：
双路升压斩波器
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，40A
- 输入：
标准
- NTC 热敏电阻：
是
- 工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
模块
- 供应商器件封装：
22-PIM/Q0BOOST（55x32.5）
- 描述：
PIM POWER MODULE
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
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ON/安森美 |
22+ |
24000 |
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ON Semiconductor |
22+ |
20PIM/Q0PACK (55x32.5) |
9000 |
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ON Semiconductor |
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