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NXH80B120H2Q0SNG分立半导体产品晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料
厂商型号 |
NXH80B120H2Q0SNG |
参数属性 | NXH80B120H2Q0SNG 封装/外壳为模块;包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块;产品描述:PIM POWER MODULE |
功能描述 | Q0 - Dual Boost Power Module |
文件大小 |
246.34 Kbytes |
页面数量 |
10 页 |
生产厂商 | ON Semiconductor |
企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-10 11:36:00 |
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NXH80B120H2Q0SNG规格书详情
NXH80B120H2Q0SNG属于分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块。安森美半导体公司制造生产的NXH80B120H2Q0SNG晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
产品属性
- 产品编号:
NXH80B120H2Q0SNG
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
- 包装:
托盘
- 配置:
双路升压斩波器
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.5V @ 15V,40A
- 输入:
标准
- NTC 热敏电阻:
是
- 工作温度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
底座安装
- 封装/外壳:
模块
- 供应商器件封装:
22-PIM/Q0BOOST(55x32.5)
- 描述:
PIM POWER MODULE
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
23+ |
N/A |
58600 |
一级代理放心采购 |
询价 | |||
ON Semiconductor |
2021+ |
SOIC |
57500 |
科研单位合格供应商!现货库存 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
MOUDEL |
9370 |
自己现货价格优势 |
询价 | ||
23+ |
N/A |
65000 |
一级代理放心采购 |
询价 | |||
ON |
21+ |
NA |
3000 |
进口原装 假一罚十 现货 |
询价 | ||
ONSEMI |
22 |
SOP12 |
4500 |
全新、原装 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
22+ |
20PIM/Q0PACK (55x32.5) |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ON |
22+ |
NA |
12800 |
本公司只做进口原装!优势低价出售! |
询价 | ||
ON |
21+ |
NA |
3000 |
进口原装 假一罚十 现货 |
询价 | ||
ON |
23+ |
NA |
3000 |
全新原装正品!一手货源价格优势! |
询价 |