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NXH80B120MNQ0SNG | Marking：NXH80B120MNQ0SNG；Package：Q0BOOST；Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 80 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V 20 A, 1200 V SiC Diode, Two Channel Full SiC Boost, Q0 Package TheNXH80B120MNQ0SNGisapowermodulecontainingadual booststage.TheintegratedSiCMOSFETsandSiCDiodesprovide lowerconductionlossesandswitchinglosses,enablingdesignersto achievehighefficiencyandsuperiorreliability. Features •1200V80mSiCMOSFETs •LowReverseRe | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | |
NXH80B120MNQ0SNG | Marking：NXH80B120MNQ0SNG；Package：Q0BOOST；Dual Boost Power Module | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI |
产品属性
- 产品编号：
NXH80B120MNQ0SNG
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
- 包装：
托盘
- 配置：
双路升压斩波器
- 输入：
标准
- NTC 热敏电阻：
是
- 工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
模块
- 供应商器件封装：
22-PIM/Q0BOOST（55x32.5）
- 描述：
PIM POWER MODULE
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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