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NXH50C120L2C2ES1G分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料

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厂商型号

NXH50C120L2C2ES1G

参数属性

NXH50C120L2C2ES1G 封装/外壳为26-PowerDIP 模块(1,199",47,20mm);包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MOD 1200V 50A 26DIP

功能描述

TMPIM 50 A CIB/CI Module
IGBT MOD 1200V 50A 26DIP

封装外壳

26-PowerDIP 模块(1,199",47,20mm)

文件大小

403.36 Kbytes

页面数量

12

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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更新时间

2025-10-30 23:00:00

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NXH50C120L2C2ES1G规格书详情

NXH50C120L2C2ES1G属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由安森美半导体制造生产的NXH50C120L2C2ES1G晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    NXH50C120L2C2ES1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 包装:

    散装

  • 配置:

    三相反相器,带制动器

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,50A

  • 输入:

    三相桥式整流器

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    26-PowerDIP 模块(1,199",47,20mm)

  • 供应商器件封装:

    26-DIP

  • 描述:

    IGBT MOD 1200V 50A 26DIP

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