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NXH40B120MNQ1SNG分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料

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厂商型号

NXH40B120MNQ1SNG

参数属性

NXH40B120MNQ1SNG 封装/外壳为模块;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:30KW Q1BOOST FULL SIC

功能描述

Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 40 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V 40 A, 1200 V SiC Diode, Three Channel Full SiC Boost, Q1 Package
30KW Q1BOOST FULL SIC

丝印标识

NXH40B120MNQ1SNG

封装外壳

PIM32 / 模块

文件大小

923.13 Kbytes

页面数量

12

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-31 23:00:00

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NXH40B120MNQ1SNG规格书详情

NXH40B120MNQ1SNG属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由安森美半导体制造生产的NXH40B120MNQ1SNG晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

The NXH40B120MNQ1SNG is a power module containing a three

channel boost stage. The integrated SiC MOSFETs and SiC Diodes

provide lower conduction losses and switching losses, enabling

designers to achieve high efficiency and superior reliability.

特性 Features

• 1200 V 40 m SiC MOSFETs

• Low Reverse Recovery and Fast Switching SiC Diodes

• 1200 V Bypass and Anti−parallel Diodes

• Low Inductive Layout

• Solderable Pins

• Thermistor

• This Device is Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and is RoHS

Compliant

Typical Applications

• Solar Inverters

• Uninterruptable Power Supplies

产品属性

更多
  • 产品编号:

    NXH40B120MNQ1SNG

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 包装:

    托盘

  • 配置:

    三,双 - 共源

  • 输入:

    标准

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    模块

  • 供应商器件封装:

    32-PIM(71x37.4)

  • 描述:

    30KW Q1BOOST FULL SIC

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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