首页>NXH35C120L2C2ESG>规格书详情
NXH35C120L2C2ESG分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NXH35C120L2C2ESG |
| 参数属性 | NXH35C120L2C2ESG 封装/外壳为26-PowerDIP 模块（1，199"，47，20mm）；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块；产品描述：IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG |
| 功能描述 | TMPIM 35 A Enhances CIB Module |
| 封装外壳 | 26-PowerDIP 模块（1，199"，47，20mm） |
| 文件大小 |
615.65 Kbytes |
| 页面数量 |
9 页 |
| 生产厂商 | ON Semiconductor |
| 企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
| 中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-22 22:59:00 |
| 人工找货 | NXH35C120L2C2ESG价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
相关芯片规格书
更多- NXH240B120H3Q1S1G
- NXH25C120L2C2SG
- NXH25T120L2Q1PG
- NXH25T120L2Q1PTG
- NXH350N100H4Q2F2P1G
- NXH350N100H4Q2F2
- NXH350N100H4Q2F2PG
- NXH350N100H4Q2F2S1G
- NXH350N100H4Q2F2SG
- NXH300B100H4Q2F2
- NXH300B100H4Q2F2PG
- NXH300B100H4Q2F2SG
- NXH350N100H4Q2F2P1G
- NXH350N100H4Q2F2P1G-R
- NXH350N100H4Q2F2P1G_V01
- NXH350N100H4Q2F2S1G
- NXH350N100H4Q2F2S1G-R
- NXH240B120H3Q1PG-R
NXH35C120L2C2ESG规格书详情
NXH35C120L2C2ESG属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由安森美半导体公司制造生产的NXH35C120L2C2ESG晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
The NXH35C120L2C2ESG is a transfer−molded power module
with low thermal resistance substrate containing a
converter−inverter−brake circuit consisting of six 35 A, 1600 V
rectifiers, six 35 A, 1200 V IGBTs with inverse diodes, one 35 A, 1200
V brake IGBT with brake diode and an NTC thermistor.
Features
• Low Thermal Resistance Substrate for Low Thermal Resistance
• 6 mm Clearance Distance between Pin to Heatsink
• Compact 73 mm × 40 mm × 8 mm Package
• Solderable Pins
• Thermistor
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
Typical Applications
• Industrial Motor Drives
• Servo Drives
产品属性
更多- 产品编号：
NXH35C120L2C2ESG
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
- 包装：
散装
- 配置：
三相反相器，带制动器
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.4V @ 15V，35A
- 输入：
三相桥式整流器
- NTC 热敏电阻：
是
- 工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
26-PowerDIP 模块（1，199"，47，20mm）
- 供应商器件封装：
26-DIP
- 描述：
IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
插件 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
1476 |
原装现货,免费供样,技术支持,原厂对接 |
询价 | |||
ON |
22+ |
NA |
640 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
标准封装 |
6000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
SAMYOUNG |
2447 |
DIP |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
N智浦 |
22+ |
NA |
500000 |
万三科技,秉承原装,购芯无忧 |
询价 | ||
ON |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装 假一罚十 现货 |
询价 | ||
onsemi |
24+ |
26-PowerDIP 模块(1,199,47, |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
询价 | ||
恩XP |
21+ |
6000 |
只做原装正品,卖元器件不赚钱交个朋友 |
询价 | |||
恩XP |
22+ |
NA |
6000 |
原厂原装现货 |
询价 |
