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NXH350N100H4Q2F2S1G分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料

NXH350N100H4Q2F2S1G
厂商型号

NXH350N100H4Q2F2S1G

参数属性

NXH350N100H4Q2F2S1G 封装/外壳为模块;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IC PWR MODULE 1000V 350A PIM42

功能描述

Three Level NPC Q2Pack Module
IC PWR MODULE 1000V 350A PIM42

丝印标识

NXH350N100H4Q2F2S1G

封装外壳

Q2PACK / 模块

文件大小

2.74812 Mbytes

页面数量

20

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-26 22:59:00

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NXH350N100H4Q2F2S1G规格书详情

NXH350N100H4Q2F2S1G属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由安森美半导体公司制造生产的NXH350N100H4Q2F2S1G晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

This high−density, integrated power module combines

high−performance IGBTs with rugged anti−parallel diodes.

Features

• Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology

• Low Switching Loss Reduces System Power Dissipation

• Module Design Offers High Power Density

• Low Inductive Layout

• Low Package Height

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Compliant

Typical Applications

• Solar Inverters

• Uninterruptable Power Supplies Systems

产品属性

更多
  • 产品编号:

    NXH350N100H4Q2F2S1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 包装:

    托盘

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 配置:

    三级反相器

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.3V @ 15V,375A

  • 输入:

    标准

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    模块

  • 供应商器件封装:

    42-PIM/Q2PACK(93x47)

  • 描述:

    IC PWR MODULE 1000V 350A PIM42

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON(安森美)
24+
NA/
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晶体管-分立半导体产品-原装正品
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