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NXH240B120H3Q1PG分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料

NXH240B120H3Q1PG
厂商型号

NXH240B120H3Q1PG

参数属性

NXH240B120H3Q1PG 封装/外壳为模块;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:PIM Q1 3 CHANNEL IGBT+SIC BOOST

功能描述

3 Channel Q1 BOOST Module
PIM Q1 3 CHANNEL IGBT+SIC BOOST

丝印标识

NXH240B120H3Q1PG

封装外壳

PIM32 / 模块

文件大小

1.9612 Mbytes

页面数量

15

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-22 22:59:00

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NXH240B120H3Q1PG规格书详情

NXH240B120H3Q1PG属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由安森美半导体公司制造生产的NXH240B120H3Q1PG晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

The NXH240B120H3Q1PG is a case power module containing a

three channel BOOST stage. The integrated field stop trench IGBTs

and SiC Diodes provide lower conduction losses and switching losses,

enabling designers to achieve high efficiency and superior reliability.

Features

• 1200 V Ultra Field Stop IGBTs

• Low Reverse Recovery and Fast Switching SiC Diodes

• Low Inductive Layout

• Press−fit Pins

• Thermistor

Typical Applications

• Solar Inverters

• ESS

产品属性

更多
  • 产品编号:

    NXH240B120H3Q1PG

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 包装:

    托盘

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 配置:

    三,双 - 共源

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,80A

  • 输入:

    标准

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    模块

  • 供应商器件封装:

    32-PIM(71x37.4)

  • 描述:

    PIM Q1 3 CHANNEL IGBT+SIC BOOST

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
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