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NXH240B120H3Q1PG分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料

厂商型号 |
NXH240B120H3Q1PG |
参数属性 | NXH240B120H3Q1PG 封装/外壳为模块;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:PIM Q1 3 CHANNEL IGBT+SIC BOOST |
功能描述 | 3 Channel Q1 BOOST Module |
丝印标识 | |
封装外壳 | PIM32 / 模块 |
文件大小 |
1.9612 Mbytes |
页面数量 |
15 页 |
生产厂商 | ON Semiconductor |
企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-22 22:59:00 |
人工找货 | NXH240B120H3Q1PG价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
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NXH240B120H3Q1PG规格书详情
NXH240B120H3Q1PG属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由安森美半导体公司制造生产的NXH240B120H3Q1PG晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
The NXH240B120H3Q1PG is a case power module containing a
three channel BOOST stage. The integrated field stop trench IGBTs
and SiC Diodes provide lower conduction losses and switching losses,
enabling designers to achieve high efficiency and superior reliability.
Features
• 1200 V Ultra Field Stop IGBTs
• Low Reverse Recovery and Fast Switching SiC Diodes
• Low Inductive Layout
• Press−fit Pins
• Thermistor
Typical Applications
• Solar Inverters
• ESS
产品属性
更多- 产品编号:
NXH240B120H3Q1PG
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
- 包装:
托盘
- IGBT 类型:
沟槽型场截止
- 配置:
三,双 - 共源
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2V @ 15V,80A
- 输入:
标准
- NTC 热敏电阻:
是
- 工作温度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
底座安装
- 封装/外壳:
模块
- 供应商器件封装:
32-PIM(71x37.4)
- 描述:
PIM Q1 3 CHANNEL IGBT+SIC BOOST
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
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插件 |
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SOP12 |
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全新、原装 |
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onsemi |
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