丝印：446LWF；Package：DFN8；MOSFET ??Power, Dual N-Channel 40 V, 2.65 m, 145 A

Features • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • NVMFD5C446NLWF − Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free an

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ONSEMI

安森美半导体

DFN-8

ON

上传：深圳庞田科技有限公司

DFN

ON

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QFN8

ON

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8-PowerTDFN

ON

上传：深圳市广弘电子有限公司