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NVMFD6H846NL	文件：210.72 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET - Power, Dual N-Channel 文件：210.72 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFD6H846NLT1G	文件：210.72 Kbytes Page：7 Pages	丝印：6H846L；Package：DFN8；MOSFET - Power, Dual N-Channel 文件：210.72 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFD6H846NLWFT1G	文件：210.72 Kbytes Page：7 Pages	丝印：846LWF；Package：DFN8；MOSFET - Power, Dual N-Channel 文件：210.72 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFD6H846NL	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET - Power, Dual N-Channel, 80 V, 15 mΩ 31 A NVMFD6H846NL Automotive Power MOSFET in a 5x6mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAPcapable suitable for automotive applications • Small Footprint (5x6mm)\n• Low RDS (on)\n• Low QG and Capacitance\n• NVMFD6H846NLWF\n• AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable\n• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant\n;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Dual
V(BR)DSS Min (V)：
80
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
2
ID Max (A)：
31
PD Max (W)：
34
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
19
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
15
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
8
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
17
Ciss Typ (pF)：
900
Package Type：
SO-8FL Dual/DFN-8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市安富世纪电子有限公司	NVMFD6H846NLWFT1G	ON/安森美	23+	DFN8	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市威雅利发展有限公司	NVMFD6H846NLWFT1G	ON/安森美	2130+	DFN8	1500	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市润联芯城科技有限公司	NVMFD6H846NLWFT1G	ONSEMI/安森美	22+	DFN5X6	28800	原装正品支持实单	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	NVMFD6H846NLWFT1G		24+	N/A	52000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司	NVMFD6H846NLWFT1G	onsemi	25+	表面贴装型	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
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更多NVMFD6H846NL供应商更新时间2026-2-4 13:01:00

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