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NVMFS014P04M8L	文件：223.36 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET ??Power, Single P-Channel-40 V, 13.8 m, -52.1 A Features •SmallFootprintforCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVMFWS014P04M8L−WettableFlanksProduct •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFR−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVMFS014P04M8LT1G	文件：223.36 Kbytes Page：7 Pages	Marking：014P04；Package：DFN5；MOSFET ??Power, Single P-Channel-40 V, 13.8 m, -52.1 A Features •SmallFootprintforCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVMFWS014P04M8L−WettableFlanksProduct •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFR−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVTFS014P04M8L	文件：229.69 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET??Power,Single,P-Channel-40V,13.8m,-49A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVTFWS014P04M8L−WettableFlanksProduct •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFR−FreeandareRo	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVTFS014P04M8LTAG	文件：229.69 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET??Power,Single,P-Channel-40V,13.8m,-49A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVTFWS014P04M8L−WettableFlanksProduct •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFR−FreeandareRo	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVTFWS014P04M8LTAG	文件：229.69 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET??Power,Single,P-Channel-40V,13.8m,-49A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVTFWS014P04M8L−WettableFlanksProduct •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFR−FreeandareRo	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVTYS014P04M8L	文件：337.37 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET–Power,SingleP-Channel−40V,13.5m,−53A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFR−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVTYS014P04M8LTWG	文件：337.37 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET–Power,SingleP-Channel−40V,13.5m,−53A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFR−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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