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NVMFS016N06C	文件：189.19 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET- Power, Single N-Channel, SO-8FL 60 V, 15.6 m, 33 A Features •SmallFootprint(5x6mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVMFWS016N06C−WettableFlankOptionforEnhancedOpticalInspection •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,Hal	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVMFS016N06CT1G	文件：189.19 Kbytes Page：7 Pages	Marking：16N06C；Package：SO8FL；MOSFET- Power, Single N-Channel, SO-8FL 60 V, 15.6 m, 33 A Features •SmallFootprint(5x6mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVMFWS016N06C−WettableFlankOptionforEnhancedOpticalInspection •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,Hal	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVMYS016N06C	文件：208.97 Kbytes Page：6 Pages	MOSFET-Power,SingleN-Channel60V,16m,33A Features •SmallFootprint(5x6mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVMYS016N06CTWG	文件：208.97 Kbytes Page：6 Pages	MOSFET-Power,SingleN-Channel60V,16m,33A Features •SmallFootprint(5x6mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVTFS016N06C	文件：280.43 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET-Power,SingleN-Channel,8FL60V,16.3m,32A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVTFWS016N06C−WettableFlankOptionforEnhancedOptical Inspection •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Fr	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVTFS016N06CTAG	文件：280.43 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET-Power,SingleN-Channel,8FL60V,16.3m,32A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVTFWS016N06C−WettableFlankOptionforEnhancedOptical Inspection •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Fr	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVTFWS016N06CTAG	文件：280.43 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET-Power,SingleN-Channel,8FL60V,16.3m,32A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVTFWS016N06C−WettableFlankOptionforEnhancedOptical Inspection •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Fr	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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