丝印：5C478N；Package：DFN8；Power MOSFET 40 V, 17.0 m, 27 A, Dual N?묬hannel

Features • Small Footprint (5 x 6 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low Capacitance to Minimize Driver Losses • NVMFD5C478NWF − Wettable Flanks Product • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

文件：220.92 Kbytes 页数：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

QFN8

ON

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8-PowerTDFN

ON

上传：深圳市广弘电子有限公司

SO-8FL

ON

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DFN8

ON

上传：深圳市鑫炜纳电子有限公司