丝印：668LWF；Package：DFN8；MOSFET ??Power, Dual N-Channel 60 V, 6.5 m, 68 A

Features • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • NVMFD5C668NLWF − Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free an

文件：230.69 Kbytes 页数：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

包装：卷带（TR）卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 描述：T6 60V S08FL DUAL

ONSEMI

安森美半导体

ON
QFN8

ON

上传：深圳市鼎欣微电子有限公司

ON
8-PowerTDFN

ON

上传：深圳市广弘电子有限公司

ON
SO-8FL

ON

上传：深圳市鑫炜纳电子有限公司