丝印：5C462L；Package：DFN8；MOSFET ??Power, Dual N-Channel 40 V, 4.7 m, 84 A

Features • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • NVMFD5C462NLWF − Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free an

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ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET 40 V, 4.7 m, 84 A, Dual N?묬hannel

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ONSEMI

安森美半导体

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DFN-8

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DFN

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QFN8

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