丝印：5C446N；Package：DFN8；Power MOSFET 40 V, 2.9 m, 127 A, Dual N?묬hannel

Features • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • NVMFD5C446NWF − Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and

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ONSEMI

安森美半导体

ON
DFN-8

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上传：深圳庞田科技有限公司

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DFN

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QFN8

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8-PowerTDFN

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