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MJE18006G	文件：191.56 Kbytes Page：7 Pages	NPN Bipolar Power Transistor For Switching Power Supply Applications SWITCHMODE NPN Bipolar Power Transistor For Switching Power Supply Applications The MJE18006G has an applications specific state−of−the−art die designed for use in 220 V line−operated SWITCHMODE Power supplies and electronic light ballasts. Features • Improved Efficiency Due to Low 文件：191.56 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJE18006G	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Bipolar Power Transistor For Switching Power Supply Applications	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJE18006G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 450V 6A TO220	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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MJF18006	文件：415.05 Kbytes Page：10 Pages	POWER TRANSISTOR SWITCHMODE NPN Bipolar Power Transistor For Switching Power Supply Applications The MJE/MJF18006 have an applications specific state–of–the–art die designed for use in 220 V line–operated Switchmode Power supplies and electronic light ballasts. These high voltage/high speed transistors o 文件：415.05 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJF18006	文件：90.58 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220F package • High voltage ,high speed • Improved efficiency due to low base drive requirements: -High and flat DC current gain hFE -Fast switching APPLICATIONS • Designed for use in 220V line-operated switchmode power supplies and electronic light ballasts. 文件：90.58 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC

产品属性

产品编号：
MJE18006G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
SWITCHMODE™
包装：
托盘
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
700mV @ 600mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
6 @ 3A，1V
频率 - 跃迁：
14MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS NPN 450V 6A TO220

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