| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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7年
留言
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onsemiTO-126 |
18798 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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12年
留言
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ST/意法TO-126 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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6年
留言
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ST/意法TO-126 |
5340 |
00+ |
原装进口无铅现货 |
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7年
留言
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ONSEMI/安森美TO126 |
3000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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1年
留言
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STTO-126 |
5390 |
2312+ |
安凌芯科只做原装,原盒原包可申请送样,可开13%原型号增值税专票。 |
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3年
留言
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onsemi(安森美)TO-225 |
2068 |
25 |
QQ询价 绝对原装正品 |
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13年
留言
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ONTO225 |
5931 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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7年
留言
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onsemiTO-126 |
18798 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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ONTO-225 |
14950 |
24+ |
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5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-126 |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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5年
留言
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STTO-126 |
60000 |
26+ |
只有原装 可配单 |
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17年
留言
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ST/意法N |
30000 |
22+ |
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售! |
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12年
留言
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ON/安森美TSSOP |
10000 |
24+ |
原装进口只做订货 寻找优势渠道合作 |
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7年
留言
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STTO-126 |
5390 |
00+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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16年
留言
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SST原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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12年
留言
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MOTOROLATO-92 |
6200 |
17+ |
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7年
留言
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onsemiTO-126 |
18746 |
25+ |
样件支持,可原厂排单订货! |
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10年
留言
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MOTOROLA |
11999 |
24+ |
原装现货假一罚十 |
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13年
留言
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ONTO-126 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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7年
留言
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onsemiTO-126 |
18798 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
MJE210采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
MJE210图片
MJE210STU价格
MJE210STU价格:¥0.8732品牌:Fairchild
生产厂家品牌为Fairchild的MJE210STU多少钱,想知道MJE210STU价格是多少?参考价:¥0.8732。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,MJE210STU批发价格及采购报价,MJE210STU销售排行榜及行情走势,MJE210STU报价。
MJE210中文资料Alldatasheet PDF
更多MJE210功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Audio Amplifier RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJE210_03制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:SILICON PNP TRANSISTOR
MJE210G功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 25V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJE210STU功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJE210T功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 25V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJE210TG功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 25V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号:
MJE210
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1.8V @ 1A,5A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
45 @ 2A,1V
- 频率 - 跃迁:
65MHz
- 工作温度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-225AA,TO-126-3
- 供应商器件封装:
TO-126
- 描述:
TRANS PNP 40V 5A TO126
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-PNP
- 性质:
低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
25V
- 最大电流允许值:
5A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
BD186,BD196,BD206,
- 最大耗散功率:
15W
- 放大倍数:
- 图片代号:
B-21
- vtest:
25
- htest:
999900
- atest:
5
- wtest:
15
































