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MJE210分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

MJE210
厂商型号

MJE210

参数属性

MJE210 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 25V 5A SOT32-3

功能描述

SILICON PNP TRANSISTOR
TRANS PNP 25V 5A SOT32-3

封装外壳

TO-225AA,TO-126-3

文件大小

63.53 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
STMICROELECTRONICS
数据手册

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更新时间

2025-8-3 23:22:00

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MJE210规格书详情

MJE210属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由意法半导体集团制造生产的MJE210晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

DESCRIPTION

The MJE210 is a silicon Epitaxial-Base PNP transistor in Jedec SOT-32 plastic package, designed for low voltage, low power, high gain audio amplifier applications.

■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPE

■ PNP TRANSISTOR

产品属性

更多
  • 产品编号:

    MJE210

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.8V @ 1A,5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    45 @ 2A,1V

  • 频率 - 跃迁:

    65MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-32-3

  • 描述:

    TRANS PNP 25V 5A SOT32-3

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