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MJE200中文资料PDF规格书

MJE200
厂商型号

MJE200

参数属性

MJE200 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 25V 5A TO126-3

功能描述

Silicon NPN transistor in a TO-126F Plastic Package.

文件大小

811.73 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.
企业简称

FOSHAN蓝箭电子

中文名称

佛山市蓝箭电子股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-15 21:06:00

晶体管资料

  • 型号:

    MJE200

  • 别名:

    MJE200三极管、MJE200晶体管、MJE200晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    25V

  • 最大电流允许值:

    5A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD185,BD195,3DA99B,

  • 最大耗散功率:

    15W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-21

  • vtest:

    25

  • htest:

    999900

  • atest:

    5

  • wtest:

    15

MJE200规格书详情

Descriptions

Silicon NPN transistor in a TO-126F Plastic Package.

Features

Low collector-emitter saturation voltage, high current gain bandwidth product, Complement to MJE210.

Applications

Designed for general audio amplifier applications.

产品属性

  • 产品编号:

    MJE200TSTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.8V @ 1A,5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    45 @ 2A,1V

  • 频率 - 跃迁:

    65MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供应商器件封装:

    TO-126-3

  • 描述:

    TRANS NPN 25V 5A TO126-3

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