MJE200中文资料PDF规格书
![MJE200](https://oss.114ic.com/img3w/pdf141156.png)
厂商型号 |
MJE200 |
参数属性 | MJE200 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 25V 5A TO126-3 |
功能描述 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
文件大小 |
339.37 Kbytes |
页面数量 |
2 页 |
生产厂商 | Central Semiconductor Corp |
企业简称 |
Central |
中文名称 | 美国中央半导体官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-19 9:10:00 |
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
MJE200三极管、MJE200晶体管、MJE200晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性质:
低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
25V
- 最大电流允许值:
5A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
BD185,BD195,3DA99B,
- 最大耗散功率:
15W
- 放大倍数:
- 图片代号:
B-21
- vtest:
25
- htest:
999900
- atest:
5
- wtest:
15
MJE200规格书详情
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR MJE200, MJE210 types are complementary silicon transistors designed for high gain amplifier applications.
产品属性
- 产品编号:
MJE200STU
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1.8V @ 1A,5A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
45 @ 2A,1V
- 频率 - 跃迁:
65MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-225AA,TO-126-3
- 供应商器件封装:
TO-126-3
- 描述:
TRANS NPN 25V 5A TO126-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TO126 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
询价 | ||||
MOTOROLA/摩托罗拉 |
23+ |
TO-225AATO-126 |
24190 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
ON |
22+ |
TO-220-3 |
50000 |
ON二三极管全系列在售 |
询价 | ||
ON |
2021+ |
TO-126 |
6430 |
原装现货/欢迎来电咨询 |
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FAIRC |
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TO-126 |
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ISC(无锡固电) |
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TO126 |
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TO126 |
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FAIRCHILD |
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TO-126 |
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ONSEMICONDU |
16+ |
原封装 |
18566 |
原装现货假一罚十 |
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