首页>MJE18006G>规格书详情

MJE18006G中文资料NPN Bipolar Power Transistor For Switching Power Supply Applications数据手册ONSEMI规格书

PDF无图
厂商型号

MJE18006G

参数属性

MJE18006G 封装/外壳为TO-220-3;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 450V 6A TO220

功能描述

NPN Bipolar Power Transistor For Switching Power Supply Applications
TRANS NPN 450V 6A TO220

封装外壳

TO-220-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

原厂下载下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-25 23:01:00

人工找货

MJE18006G价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

MJE18006G规格书详情

简介

MJE18006G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MJE18006G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    MJE18006G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    SWITCHMODE™

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    700mV @ 600mA,3A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    6 @ 3A,1V

  • 频率 - 跃迁:

    14MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN 450V 6A TO220

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
24+
NA/
637
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
ON
23+
TO-220
20000
全新原装假一赔十
询价
ON/安森美
21+
NA
12820
只做原装,质量保证
询价
MOT
23+
TO-220
3000
专做原装正品,假一罚百!
询价
ON
1542
TO-220
950
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
三年内
1983
只做原装正品
询价
ON
23+
TO-220
950
正规渠道,只有原装!
询价
ON/安森美
2450+
NA
9850
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十!
询价
ON(安森美)
23+
18424
公司只做原装正品,假一赔十
询价
ON
22+
TO-220-3
50000
原装正品假一罚十,代理渠道价格优
询价