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MJE18004数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

MJE18004

参数属性

MJE18004 封装/外壳为TO-220-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 450V 5A TO220

功能描述

5.0 A, 1000 V NPN Bipolar Power Transistor
TRANS NPN 450V 5A TO220

封装外壳

TO-220-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-11 20:00:00

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MJE18004规格书详情

描述 Description

The MJE/MJF18004G have an applications specific state-of-the-art die designed for use in 220 V line-operated SWITCHMODE Power supplies and electronic light ballasts.

特性 Features

• Improved Efficiency Due to Low Base Drive Requirements:- High and Flat DC Current Gain h FE- Fast Switching- No Coil Required in Base Circuit for Turn-Off (No Current Tail)
• Full Characterization at 125°C
• Motorola \"6 SIGMA\" Philosophy Provides Tight and Reproducible Parametric Distributions
• Two Package Choices: Standard TO-220 or isolated TO-220
• MJF18004, Case 221D, is UL Registered at 3500 VRMS: File #E69369
• Pb-Free Packages are Available

简介

MJE18004属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MJE18004晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MJE18004

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.75

  • IC Cont. (A)

    :5

  • VCEO Min (V)

    :450

  • VCBO (V)

    :1000

  • VEBO (V)

    :9

  • VBE(sat) (V)

    :0.92

  • VBE(on) (V)

    :-

  • hFE Min

    :14

  • hFE Max

    :34

  • fT Min (MHz)

    :-

  • PTM Max (W)

    :75

  • Package Type

    :TO-220-3

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