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MJF3055	文件：156.43 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS MJF3055(NPN) MJF2955(PNP) COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS10AMPERES90VOLTS,30WATTS Specificallydesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications. Features •IsolatedOvermoldPackage(1500VoltsRMSMin) •ElectricallySimilartothePopular	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJF3055	文件：156.43 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS10AMPERES90VOLTS30WATTS ComplementarySiliconPowerTransistors ...specificallydesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications. •IsolatedOvermoldPackage(1500VoltsRMSMin) •ElectricallySimilartothePopularMJE3055TandMJE2955T •Collector–EmitterSustainingVoltage—VCEO(sus)90Volts	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJF3055	文件：120.98 Kbytes Page：5 Pages	ComplementarySiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJF3055G	文件：120.98 Kbytes Page：5 Pages	ComplementarySiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMFT3055E	文件：238.4 Kbytes Page：10 Pages	MEDIUMPOWERTMOSFET1.7AMP60VOLTS N–ChannelEnhancementMode SiliconGateTMOSE–FET™SOT–223forSurfaceMount ThisadvancedE–FETisaTMOSMediumPowerMOSFETdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergyefficientdevicealsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MMFT3055E	文件：196.97 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelTMOSE-FETPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMFT3055EL	文件：236.71 Kbytes Page：10 Pages	MEDIUMPOWERLOGICLEVELTMOSFET1.5AMP60VOLTS MediumPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancementMode SiliconGateTMOSE–FET™ SOT–223forSurfaceMount ThisadvancedE–FETisaTMOSpowerMOSFETdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisdeviceisalsodesignedwithalowthresholdvoltagesoi	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MMFT3055V	文件：91.2 Kbytes Page：4 Pages	TMOSPOWERFET1.7AMPERES60VOLTS TMOSV™SOT-223forSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and60voltTMOSdevices	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MMFT3055V	文件：213.32 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMFT3055VL	文件：224.05 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET1.5AMPERES60VOLT TMOSV™SOT-223forSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and60voltTMOSdevices.	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola

详细参数

型号：
MJE3055TTU_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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