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MJF2955	文件：156.43 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS MJF3055(NPN) MJF2955(PNP) COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS10AMPERES90VOLTS,30WATTS Specificallydesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications. Features •IsolatedOvermoldPackage(1500VoltsRMSMin) •ElectricallySimilartothePopular	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJF2955	文件：156.43 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS10AMPERES90VOLTS30WATTS ComplementarySiliconPowerTransistors ...specificallydesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications. •IsolatedOvermoldPackage(1500VoltsRMSMin) •ElectricallySimilartothePopularMJE3055TandMJE2955T •Collector–EmitterSustainingVoltage—VCEO(sus)90Volts	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJF2955	文件：120.98 Kbytes Page：5 Pages	ComplementarySiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJF2955G	文件：120.98 Kbytes Page：5 Pages	ComplementarySiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMFT2955E	文件：178.44 Kbytes Page：10 Pages	TMOSMEDIUMPOWERFET1.2AMP60VOLTS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MMFT2955E	文件：209.01 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MSU2955	文件：71.36 Kbytes Page：1 Pages	8-BitMicro-controller 8-BitMicro-controllerwith16KBflashembedded	MOSELMOSEL VETELIC INC. 茂矽电子台湾茂矽电子股份有限公司	MOSEL
MTD2955E	文件：243.69 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.3OHM TMOSE-FET™PowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMountP–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecovery	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTD2955E	文件：346.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTD2955E	文件：213.25 Kbytes Page：11 Pages	PowerFieldEffect	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
MJE2955TTU_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多MJE2955TTU_Q供应商更新时间2025-5-12 10:49:00

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