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MJE244	文件：76.73 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION The central semiconductor mje240, mje250 series types are complementary silicon power transistors designed for audio amplifier and switching applications. 文件：76.73 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
MJE244	文件：91.55 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS JEDEC TO-126 CASE MJE240, MJE250 series types are complementary silicon power transistors designed for audio amplifier and switching applications. 文件：91.55 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
MJE244	文件：80.93 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSITORS 文件：80.93 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
MJE244	文件：300 bytes Page：1 Pages	Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch	Central	Central
MJE244	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 100V 4A 3-Pin TO-126	NJS	NJS

晶体管资料

型号：
MJE244
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD243D,BD591,BD601,3DA99C,
最大耗散功率：
15W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
100
htest：
999900
atest：
4
wtest：
15

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
100V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.3@50mA@500mAV
Maximum Collector Emitter Voltage：
100V
Maximum DC Collector Current：
4A
Maximum Emitter Base Voltage：
7V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Power Dissipation：
1500mW
Maximum Transition Frequency：
2(Min)MHz
Type：
NPN

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