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MJE221	文件：73.87 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR MJE220 series types are NPN silicon power transistors, manufactured by the epitaxial-base process, designed for general purpose amplifier and switching applications. MARKING: FULL PART NUMBER 文件：73.87 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
MJE221	文件：345.72 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTOR 文件：345.72 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
MJE221	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 40V 4A 3-Pin TO-126	NJS	NJS
MMBTRA221S	文件：130.33 Kbytes Page：1 Pages	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR These devices are intended for use in audio frequency power amplifier and low speed switching applications 文件：130.33 Kbytes 页数：1 Pages	SEMTECH_ELEC 先之科半导体	SEMTECH_ELEC
MMBTRA221SS	文件：341.92 Kbytes Page：5 Pages	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for high current switching, interface circuit and driver circuit application. ○ With Built-in Bias Resistor ○ Simplify Circuit Design ○ Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process ○ High Output Current: -300mA 文件：341.92 Kbytes 页数：5 Pages	SEMTECH_ELEC 先之科半导体	SEMTECH_ELEC
MMBTRA221SS	文件：4.06165 Mbytes Page：6 Pages	PNP Digital Transistor 文件：4.06165 Mbytes 页数：6 Pages	PJSEMI 平晶半导体	PJSEMI

晶体管资料

型号：
MJE221
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD187,BD197,SDD373B,
最大耗散功率：
15W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
40
htest：
999900
atest：
4
wtest：
15

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
60V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.3@50mA@500mA0.6@100mA@1A
Maximum Collector Emitter Voltage：
40V
Maximum DC Collector Current：
4A
Maximum Emitter Base Voltage：
7V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Power Dissipation：
1500mW
Maximum Transition Frequency：
10(Typ)MHz
Type：
NPN

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市亿智腾科技有限公司	MJE221	ON	24+	TO-126	6430	原装现货/欢迎来电咨询	询价
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