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MJE235	文件：88.44 Kbytes Page：1 Pages	PNP SILICON POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR MJE230 series types are PNP silicon power transistors manufactured by the epitaxial-base process designed for general purpose and switching applications. 文件：88.44 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
MJE235	文件：92.64 Kbytes Page：1 Pages	PNP SILICON POWER TRANSISTOR 文件：92.64 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
MJE235	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 60V 4A 3-Pin TO-126	NJS 新泽西半导体	NJS
NTE235	文件：20.82 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Transistor Final RF Power Output Description: The NTE235 is an NPN silicon transistor in a TO220 type case designed for use in high power output amplifier stages such as citizen band communications equipment. 文件：20.82 Kbytes 页数：2 Pages	NTE	NTE
SLD235VL	文件：45.81 Kbytes Page：4 Pages	Index-Guided High Power AlGaAs Laser Diode Description The SLD235VL is a high-power, index-guided AlGaAs laser diode. Features • High power • Low current consumption • Small astigmatism • Small package (φ5.6mm) Applications Optical pickup for CD-R/RW 文件：45.81 Kbytes 页数：4 Pages	SONYSony Corporation 索尼	SONY
SMTPB235	文件：55.13 Kbytes Page：5 Pages	TRISILTM DESCRIPTION The SMTPBxx series has been designedto protect telecommunication equipment against lightning and transient induced by AC power lines. FEATURES BIDIRECTIONAL CROWBAR PROTECTION. BREAKDOWNVOLTAGE RANGE: From 62 V To 270 V. HOLDING CURRENT: IH= 150 mA min REPETITIVE PE 文件：55.13 Kbytes 页数：5 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

晶体管资料

型号：
MJE235
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD190,BD200,SCD373C,
最大耗散功率：
15W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
60
htest：
999900
atest：
4
wtest：
15

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
80V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.3@50mA@500mA2.5@1mA@4A
Maximum Collector Emitter Voltage：
60V
Maximum DC Collector Current：
4A
Maximum Emitter Base Voltage：
7V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Power Dissipation：
1500mW
Maximum Transition Frequency：
10(Typ)MHz
Type：
PNP

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