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MJD200RLG	文件：87.9 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Plastic Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MJD200RLG	文件：152.01 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Plastic Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD200RLG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 25V 5A DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE200	文件：255.72 Kbytes Page：6 Pages	5AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON25VOLTS15WATTS ComplementarySiliconPowerPlasticTransistors ...designedforlowvoltage,low–power,high–gainaudioamplifierapplications. •Collector–EmitterSustainingVoltage— VCEO(sus)=25Vdc(Min)@IC=10mAdc •HighDCCurrentGain—hFE=70(Min)@IC=500mAdc High	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJE200	文件：255.72 Kbytes Page：6 Pages	POWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON ComplementarySiliconPowerPlasticTransistors Thesedevicesaredesignedforlowvoltage,low-power,high-gainaudioamplifierapplications. Features •Collector-EmitterSustainingVoltage-VCEO(sus)=25Vdc(Min)@IC=10mAdc •HighDCCurrentGain-hFE=70(Min)@IC=500mAdc	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE200	文件：42.12 Kbytes Page：4 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor Feature •LowCollector-EmitterSaturationVoltage •HighCurrentGainBandwidthProduct:fT=65MHz@IC=100mA(Min.) •ComplementtoMJE210	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJE200	文件：242.53 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •LowCollector–EmitterSaturationVoltage- •DCCurrentGain-BandwidthProduct •HighDCCurrentGain •ComplementtoMJE210 APPLICATIONS •Designedforlowvoltage,low-power,high-gainaudioamplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJE200	文件：120.99 Kbytes Page：6 Pages	ComplementarySiliconPowerPlasticTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE200	文件：339.37 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORMJE200,MJE210typesarecomplementarysilicontransistorsdesignedforhighgainamplifierapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central

产品属性

产品编号：
MJD200RLG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.8V @ 1A，5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
45 @ 2A，1V
频率 - 跃迁：
65MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
TRANS NPN 25V 5A DPAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	MJD200RLG	onsemi(安森美)	24+	TO-252	2176	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	MJD200RLG	onsemi	24+	TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市坤融电子科技有限公司	MJD200RLG	ON/安森美	24+	DPAK	20000	只做原厂渠道可追溯货源	询价
深圳市益百分电子有限公司	MJD200RLG	ON	06+	TO252	1200	全新原装进口自己库存优势	询价
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上海专毅电子科技有限公司	MJD200RLG	ON	17+	TO252	9988	只做原装进口,自己库存	询价
深圳市佳鑫美电子科技有限公司	MJD200RLG	ON	24+	TO252	2679	原装优势!绝对公司现货!可长期供货!	询价
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更多MJD200RLG供应商更新时间2025-5-31 8:12:00

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