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MJD31C1G	文件：129.229 Kbytes Page：11 Pages	Complementary Power Transistors ComplementaryPowerTransistorsDPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“1”Suffix) •LeadFormedVersi	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD31C1G	文件：81.61 Kbytes Page：8 Pages	Complementary Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD31C1G	文件：135.34 Kbytes Page：10 Pages	Complementary Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD31C1G	文件：100.84 Kbytes Page：10 Pages	Complementary Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD31C1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 100V 3A IPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
LWTN-31C1	文件：146.39 Kbytes Page：5 Pages	PowerTransducerSeriesL-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
LWTN-31C1SLASHQ	文件：146.39 Kbytes Page：5 Pages	PowerTransducerSeriesL-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
MJD31C1	文件：81.61 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MJD31C1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.2V @ 375mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
50µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 3A，4V
频率 - 跃迁：
3MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装：
I-PAK
描述：
TRANS NPN 100V 3A IPAK

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