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MJD32C-13	文件：125.82 Kbytes Page：6 Pages	PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features •BVCEO>-100V •IC=-3AhighContinuousCollectorCurrent •ICM=-5APeakPulseCurrent •IdealforPowerSwitchingorAmplificationApplications •ComplementaryNPNType:MJD31C •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Gree	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MJD32C-13	文件：373.13 Kbytes Page：7 Pages	Marking：MJD32C；Package：TO-252；100V PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MJD32C-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 100V 3A TO252-3	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM

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MJD32C-13

文件：125.82 Kbytes

Page：6 Pages

PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features •BVCEO>-100V •IC=-3AhighContinuousCollectorCurrent •ICM=-5APeakPulseCurrent •IdealforPowerSwitchingorAmplificationApplications •ComplementaryNPNType:MJD31C •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Gree

DIODESDiodes Incorporated

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MJD32C-13

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Marking：MJD32C；Package：TO-252；100V PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES

MJD32C-13

文件：100 bytes

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Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 100V 3A TO252-3

PAMDiodes Incorporated

龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司

PAM

产品属性

产品编号：
MJD32C-13
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.2V @ 375mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 3A，4V
频率 - 跃迁：
3MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
TO-252-3
描述：
TRANS PNP 100V 3A TO252-3

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