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MJD31CT4-A	文件：241.24 Kbytes Page：9 Pages	Low voltage NPN power transistor Description ThedeviceismanufacturedinPlanartechnologywith“BaseIsland”layout.Theresultingtransistorshowsexceptionalhighgainperformancecoupledwithverylowsaturationvoltage. Generalfeatures ■Thisdeviceisqualifiedforautomotiveapplication ■Surface-mounting	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJD31CT4-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 100V 3A DPAK	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJD31CT4G	文件：135.34 Kbytes Page：10 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MJD31CT4G	文件：129.229 Kbytes Page：11 Pages	ComplementaryPowerTransistors ComplementaryPowerTransistorsDPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“1”Suffix) •LeadFormedVersi	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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产品属性

产品编号：
MJD31CT4-A
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.2V @ 375mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
50µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 3A，4V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
TRANS NPN 100V 3A DPAK

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