| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美TO252 |
24548 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TO252 |
7906200 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美TO252 |
28816 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ON/安森美DPAK |
20000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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ONTO-252 |
37650 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市云迪科技有限公司7年
留言
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ONDPAK |
10000 |
22+ |
原装正品现货优势供应 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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15000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市汇创佳电子科技有限公司6年
留言
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onsemi(安森美)TO-252-2 |
6657 |
22+ |
QQ询价 绝对原装正品 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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ONNN/A |
22500 |
23+ |
原装原装原装哈 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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ONSOT252 |
2500 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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ONSOT252 |
57350 |
10+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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ON(安森美)TO-252-2(DPAK) |
4550 |
2023+ |
全新原装正品 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美NA/ |
2000 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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JD/晶导SMAF |
69820 |
23+ |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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ONTO-251 |
90000 |
20+ |
原装正品现货/价格优势 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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ON/安森美TO-251 |
95573 |
22+ |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TO-251 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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ONSOT252 |
3000 |
22+ |
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原装正品,支持实单 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-251 |
68900 |
ON/安森美 |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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5000 |
公司存货 |
MJD253采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
MJD253图片
MJD253T4G价格
MJD253T4G价格：￥1.6266品牌：ONSemi
生产厂家品牌为ONSemi的MJD253T4G多少钱，想知道MJD253T4G价格是多少？参考价：￥1.6266。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，MJD253T4G批发价格及采购报价，MJD253T4G销售排行榜及行情走势，MJD253T4G报价。
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更多MJD253制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Silicon Plastic Power Transistor
MJD253-001功能描述:两极晶体管 - BJT 4A 100V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJD253-1制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Silicon Plastic Power Transistor DPAK-3 for Surface Mount Applications
MJD253-1G功能描述:两极晶体管 - BJT 4A 100V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJD253T4功能描述:两极晶体管 - BJT 4A 100V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJD253T4G功能描述:两极晶体管 - BJT 4A 100V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
