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MJD253	文件：124.95 Kbytes Page：8 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistor Complementary Silicon Plastic Power Transistor DPAK−3 for Surface Mount Applications Designed for low voltage, low−power, high−gain audio amplifier applications. Features • Collector−Emitter Sustaining Voltage − VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc • High DC Cur 文件：124.95 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD253	文件：261.62 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • High DC Current Gain- : hFE = 40(Min) @ IC= -0.2 A • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat) = -0.3V(Max.)@ IC= -0.5 A • Complement to the NPN MJD243 • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • Designed fo 文件：261.62 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MJD253	文件：298.31 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= -100V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= -0.3V(Max) @IC= -0.5A APPLICATIONS · Designed for low power audio amplifier and low-current, high-speed switching applications 文件：298.31 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MJD253	文件：279.27 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= -100V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= -0.3V(Max) @IC= -0.5A APPLICATIONS · Designed for low power audio amplifier and low-current, high-speed switching applications 文件：279.27 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MJD253	文件：952.96 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a TO-252 Plastic Package. Descriptions Silicon PNP transistor in a TO-252 Plastic Package. Features Low Collector−Emitter Saturation Voltage, High Current−Gain. Applications Low power audio amplifier,Low current, high speed switching applications. 文件：952.96 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
MJD253	文件：112.97 Kbytes Page：8 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistors 文件：112.97 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD253	文件：168.56 Kbytes Page：8 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistors 文件：168.56 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD253	文件：168.56 Kbytes Page：8 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistors 文件：168.56 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD253	文件：98.46 Kbytes Page：8 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistor DPAK-3 for Surface Mount Applications 文件：98.46 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD253	文件：149.11 Kbytes Page：8 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistor 文件：149.11 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
PNP
IC Continuous (A)：
4
VCEO(sus) Min (V)：
100
hFE Min：
40
hFE Max：
180
PTM Max (W)：
12.5
fT Min (MHz)：
40
Package Type：
DPAK INSERTION MOUNT/DPAK-3

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