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MJD253	文件：300 bytes Page：1 Pages	4.0 A，100 V PNP 双极功率晶体管 The Bipolar Power Transistor is designed for low voltage, low power, high gain audio amplifier applications. • Collector-Emitter Sustaining VoltageVCEO(sus) = 100 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc\n• High DC Current Gain hFE = 40 (Min) @ IC= 200 mAdchFE= 15 (Min) @ IC = 1.0 Adc\n• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)\n• Straight Lead Version in Plastic Sleeves (\"-1\" Suffix)\n•;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD253	文件：300 bytes Page：1 Pages	音频功放晶体管	THUNDER 中科创达	THUNDER
MJD253	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极晶体管	BlueRocket 蓝箭电子	BlueRocket
MJD253-1	文件：124.95 Kbytes Page：8 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistor Complementary Silicon Plastic Power Transistor DPAK−3 for Surface Mount Applications Designed for low voltage, low−power, high−gain audio amplifier applications. Features • Collector−Emitter Sustaining Voltage − VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc • High DC Cur 文件：124.95 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD253-251	文件：298.31 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= -100V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= -0.3V(Max) @IC= -0.5A APPLICATIONS · Designed for low power audio amplifier and low-current, high-speed switching applications 文件：298.31 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MJD253-252	文件：279.27 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= -100V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= -0.3V(Max) @IC= -0.5A APPLICATIONS · Designed for low power audio amplifier and low-current, high-speed switching applications 文件：279.27 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MJD253T4	文件：124.95 Kbytes Page：8 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistor Complementary Silicon Plastic Power Transistor DPAK−3 for Surface Mount Applications Designed for low voltage, low−power, high−gain audio amplifier applications. Features • Collector−Emitter Sustaining Voltage − VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc • High DC Cur 文件：124.95 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD253-001	文件：168.56 Kbytes Page：8 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistors 文件：168.56 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD253-1	文件：98.46 Kbytes Page：8 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistor DPAK-3 for Surface Mount Applications 文件：98.46 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD253-1G	文件：98.46 Kbytes Page：8 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistor DPAK-3 for Surface Mount Applications 文件：98.46 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
PNP
IC Continuous (A)：
4
VCEO(sus) Min (V)：
100
hFE Min：
40
hFE Max：
180
PTM Max (W)：
12.5
fT Min (MHz)：
40
Package Type：
DPAK INSERTION MOUNT/DPAK-3

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