选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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ONTO-252 |
3500 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司13年
留言
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ST/意法TO-252 |
10000 |
23+ |
原装现货 ST车规级全线接受订货 |
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深圳市特瑞斯科技有限公司5年
留言
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ONTO-252 |
65000 |
23+ |
公司常备大量原装现货可开13%增票! |
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深圳市柏芯特电子科技有限公司1年
留言
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ST/意法半导体TO-252-3 |
6000 |
2023 |
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公司原装现货/支持实单 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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STMicroelectronics Asia PacifiSMD |
918000 |
23+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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ST/意法半导体TO-252-3 |
6004 |
22+ |
原装正品现货 可开增值税发票 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ST/意法TO-252 |
1800 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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ST/意法半导体TO-252-3 |
4650 |
23+ |
绝对原装公司现货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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STTO-252 |
37650 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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46040 |
23+ |
全新原装,有询必回 |
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深圳市艾兴电子有限公司年
留言
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ST/意法半导体TO-252-3 |
6000 |
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深圳市柏芯特电子科技有限公司1年
留言
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ST/意法半导体TO-252-3 |
6000 |
2023 |
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公司原装现货/支持实单 |
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深圳市华瑞顺电子科技有限公司6年
留言
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ON/安森美TO-252 |
12800 |
22+ |
本公司只做原装,特价出售! |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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ON Semiconductor CorporationSMD |
918000 |
23+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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ON/安森美DPAK |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美TO252 |
9548 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美TO252 |
13816 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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ONTO-252 |
18700 |
22+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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ST/意法半导体TO-252-3 |
6007 |
22+ |
原装正品现货 可开增值税发票 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TO252 |
7906200 |
MJD32CT4采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
MJD32CT4图片
MJD32CT4G价格
MJD32CT4G价格:¥0.7740品牌:ON
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MJD32CT4G资讯
MJD32CT4 TO252 100V3A NPN 晶体管 ON安森美 MOS管
MJD32CT4NPN100V3A晶体管ON安森美TO252
MJD32CT4G中文资料Alldatasheet PDF
更多MJD32CT4功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Gen Pur Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJD32CT4-A功能描述:两极晶体管 - BJT LO PWR PNP PW TRANS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJD32CT4G功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号:
MJD32CT4
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1.2V @ 375mA,3A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
50µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
10 @ 3A,4V
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 供应商器件封装:
DPAK
- 描述:
TRANS PNP 100V 3A DPAK