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MJD31	文件：49.27 Kbytes Page：5 Pages	General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications NPN Epitaxial Silicon Transistor Features • General Purpose Amplifier • Low Speed Switching Applications • Load Formed for Surface Mount Application (No Suffix) • Straight Lead (I-PAK, “- I” Suffix) • Electrically Similar to Popular TIP31 and TIP31C 文件：49.27 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
MJD31	文件：129.229 Kbytes Page：11 Pages	Complementary Power Transistors Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. Features • Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves • Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“1” Suffix) • Lead Formed Versi 文件：129.229 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD31	文件：47.86 Kbytes Page：2 Pages	Complementary Power Transistors Features ● Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves ● Pb-Free Packages are Available 文件：47.86 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
MJD31	文件：135.34 Kbytes Page：10 Pages	Complementary Power Transistors 文件：135.34 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD31	文件：100.84 Kbytes Page：10 Pages	Complementary Power Transistors 文件：100.84 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD31	文件：81.61 Kbytes Page：8 Pages	Complementary Power Transistors 文件：81.61 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD31B	文件：65.36 Kbytes Page：5 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION The MJD31B and MJD31C and the MJD32B and MJD32C form complementary NPN-PNP pairs. They are manufactured using Epitaxial Base technology for cost-effective performance. ■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES ■ SURFACE-MOUNTING TO-252 (DPAK) POWER PACKAGE IN TAPE & REEL (SUFFIX 文件：65.36 Kbytes 页数：5 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
MJD31C	文件：243.6 Kbytes Page：9 Pages	Low voltage NPN power transistor Description The device is manufactured in planar technology with “base island” layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. Features ■ Surface-mounting TO-252 power package in tape and reel ■ Complementary to the PNP typ 文件：243.6 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
MJD31C	文件：241.24 Kbytes Page：9 Pages	Low voltage NPN power transistor Description The device is manufactured in Planar technology with “Base Island” layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. General features ■ This device is qualified for automotive application ■ Surface-mounting 文件：241.24 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
MJD31C	文件：230.43 Kbytes Page：11 Pages	丝印：MJD31C；Package：DPAK；100 V, 3 A NPN high power bipolar transistor 1. General description NPN high power bipolar transistor in a power DPAK, TO-252 (SOT428C) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement: MJD32C 2. Features and benefits • High thermal power dissipation capability • High energy efficiency due to less heat generation • Elect 文件：230.43 Kbytes 页数：11 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA

晶体管资料

型号：
MJD31
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（PA）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
15W
放大倍数：
图片代号：
G-217
vtest：
0
htest：
999900
atest：
3
wtest：
15

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
1.2
IC Cont. (A)：
3
VCEO Min (V)：
40
VCBO (V)：
40
VEBO (V)：
5
VBE(on) (V)：
1.8
hFE Min：
10
hFE Max：
50
fT Min (MHz)：
3
PTM Max (W)：
15
Package Type：
DPAK-3

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