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MJD31C	文件：230.43 Kbytes Page：11 Pages	Marking：MJD31C；Package：DPAK；100 V, 3 A NPN high power bipolar transistor 1.Generaldescription NPNhighpowerbipolartransistorinapowerDPAK,TO-252(SOT428C)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. PNPcomplement:MJD32C 2.Featuresandbenefits •Highthermalpowerdissipationcapability •Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration •Elect	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
MJD31CTF	文件：227.74 Kbytes Page：6 Pages	Marking：MJD31C；Package：SOT-428；NPN Epitaxial Silicon Transistor NPNEpitaxialSiliconTransistor Features •GeneralPurposeAmplifier •LowSpeedSwitchingApplications •LoadFormedforSurfaceMountApplication(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I”Suffix) •ElectricallySimilartoPopularTIP31andTIP31C	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJD31C-13	文件：372.99 Kbytes Page：7 Pages	Marking：MJD31C；Package：TO-252；100V NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MJD31CQ-13	文件：456.21 Kbytes Page：7 Pages	Marking：MJD31C；Package：TO-252；100V NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MJD31CA	文件：231.53 Kbytes Page：11 Pages	Marking：MJD31CA；Package：DPAK；100 V, 3 A NPN high power bipolar transistor 1.Generaldescription NPNhighpowerbipolartransistorinapowerDPAK,TO-252(SOT428C)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. PNPcomplement:MJD32CA 2.Featuresandbenefits •Highthermalpowerdissipationcapability •Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration •Elec	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
MJD31CH-Q	文件：226.32 Kbytes Page：11 Pages	Marking：MJD31CAH；Package：DPAK；100 V, 3 A NPN high power bipolar transistor Featuresandbenefits •Highthermalpowerdissipationcapability •Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration •HighcurrentgainatVCE=60V •ElectricallysimilartopopularMJD31series •Lowcollectoremittersaturationvoltage •Fastswitchingspeeds •Qualifiedaccordingto	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
MJD31CUQ-13	文件：382.34 Kbytes Page：7 Pages	Marking：MJD31CU；Package：TO-252；100V NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Features •BVCEO>100V •IC=3AhighContinuousCollectorCurrent •ICM=5APeakPulseCurrent •IdealforPowerSwitchingorAmplificationApplications •Complem	DIODES Diodes Incorporated	DIODES

晶体管资料

型号：
MJD31C
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（PA）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
15W
放大倍数：
图片代号：
G-217
vtest：
0
htest：
999900
atest：
3
wtest：
15

产品属性

产品编号：
MJD31C
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.2V @ 375mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
50µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 3A，4V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
TRANS NPN 100V 3A DPAK

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