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MJE170	文件：110 Kbytes Page：3 Pages	PNP General Purpose Transistor FEATURES ● Low frequency amplifier ● Low current ● High speed switching applications 文件：110 Kbytes 页数：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
MJE170	文件：135.7 Kbytes Page：4 Pages	PNP (LOW POWER AUDIO AMPLIFIER) PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW POWER AUDIO AMPLIFIER LOW CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS 文件：135.7 Kbytes 页数：4 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
MJE170	文件：556.74 Kbytes Page：3 Pages	PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS MJE170, 171, 172 PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS MJE180, 181, 182 NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS 文件：556.74 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
MJE170	文件：71.77 Kbytes Page：1 Pages	SILICON COMPLEMENTRY POWER TRANSISTOR 文件：71.77 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
MJE170	文件：228.62 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(3.0A,40-80V,12.5W) COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS 文件：228.62 Kbytes 页数：4 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC

晶体管资料

型号：
MJE170
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD176,BD186,BD234,BD438,SCD373A,
最大耗散功率：
12.5W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
40
htest：
999900
atest：
3
wtest：
12.5

详细参数

型号：
MJE170
功能描述：
两极晶体管 - BJT 3A 40V 12.5W PNP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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