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MJE170	文件：1.30081 Mbytes Page：4 Pages	型号：MJE170；Package：TO-126；TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low Power Audio Amplifier Low Current, High Speed Switching Applications 文件：1.30081 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
MJE170	文件：1.30081 Mbytes Page：4 Pages	型号：MJE170-TU；Package：TO-126；TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low Power Audio Amplifier Low Current, High Speed Switching Applications 文件：1.30081 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
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	文件：110 Kbytes Page：3 Pages	型号：MJE170；PNP General Purpose Transistor FEATURES ● Low frequency amplifier ● Low current ● High speed switching applications 文件：110 Kbytes 页数：3 Pages	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
	文件：71.77 Kbytes Page：1 Pages	型号：MJE170；SILICON COMPLEMENTRY POWER TRANSISTOR 文件：71.77 Kbytes 页数：1 Pages	Central	Central
	文件：95.68 Kbytes Page：2 Pages	型号：MJE170；COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS ... designed for low power amplifier and low current, high speed switchii applications. FEATURES: * Collector-Emitter Sustaining VoHage- VCEO(SUS) =40 V (Min) - MJE170.MJE180 = 60 V (Min) - MJE171.MJE181 文件：95.68 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
	文件：228.62 Kbytes Page：4 Pages	型号：MJE170；POWER TRANSISTORS(3.0A,40-80V,12.5W) COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS 文件：228.62 Kbytes 页数：4 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
	文件：135.7 Kbytes Page：4 Pages	型号：MJE170；PNP (LOW POWER AUDIO AMPLIFIER) PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW POWER AUDIO AMPLIFIER LOW CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS 文件：135.7 Kbytes 页数：4 Pages	Samsung 三星	Samsung
	文件：49.81 Kbytes Page：5 Pages	型号：MJE170；Low Power Audio Amplifier Low Current, High Speed Switching Applications PNP Epitaxial Silicon Transistor Low Power Audio Amplifier Low Current, High Speed Switching Applications 文件：49.81 Kbytes 页数：5 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
MJE170
功能描述：
两极晶体管 - BJT 3A 40V 12.5W PNP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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